【名城大学】世界初：安価なサファイア基板上でAlGaNによるUV-B半導体レーザーの室温連続発振を達成
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<p>名城大学理工学部材料機能工学科の岩谷素顕教授、竹内哲也教授、上山智教授、三重大学大学院工学研究科の三宅秀人教授、ウシオ電機株式会社、および株式会社日本製鋼所の研究グループは、深紫外（UV-B １）：280〜320 nm）領域の半導体レーザーにおいて、世界で初めて、安価なサファイア基板を用いて医療に最適な300～320 nm帯域での室温連続発振（CW）を実証しました。基板には低コストで量産性に優れるサファイア基板を使…
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