NSCoreが最先端ロジックCMOSで動作する低コスト不揮発メモリの開発に成功
株式会社NSCore(本社:福岡県福岡市、代表取締役社長:堀内 忠彦、以下 NSCore)は、最先端ロジックCMOSの28nm世代で動作する不揮発メモリセル技術の開発に成功したことを発表いたします。特殊工程の追加はなく製造コストの増加はゼロ、設計工期は最短化され、IoT製品やマイコンの普及・低コスト化に貢献いたします。<br />
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■世界初!低コスト不揮発メモリセル技術の開発に成功<br />
製造工程中の高温熱処理を嫌う高誘電率ゲート絶縁膜や…
Source: プレスリリース新着